SK海力士引领High-k/MetalGate工艺变革
由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/MetalGate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anmLPDDR5XDRAM,即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。厚度挑战:需要全新的解决方案组成DRAM的晶体管(Transistor)包括存储数据
📅 2022-11-08
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