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存储模组龙头江波龙再现大额股东减持，高折价转让却获机构疯抢，股价在短期波动后快速回暖，尽显市场对存储行业高景气的坚定信心。1月16日，江波龙公告称，龙熹一号、龙熹二号等5家股东计划通过询价转让方式，合计减持1257万股公司股份，占总股本比例3%。1月19日晚间，转让细节落地：初步确定转让价为212.09元/股，较当日336.25元/股的收盘价，折价率高达近37%。此次转让吸引59家机构投资者参与报
1月19日，DRAM大厂南亚科技公布2025年财报，受益于AI驱动下DRAM芯片持续供不应求、价格上涨，业绩迎来爆发式增长，四季度净利同比暴涨804.2%，全年业绩也实现扭亏为盈，盈利能力大幅修复。财报数据堪称亮眼，多项指标创佳绩。2025年四季度，南亚科技营收达新台币300.94亿元，环比大涨60.3%、同比暴涨357.7%；毛利润147.59亿元，环比、同比分别暴涨326%、2225%，毛利率
中核集团中国原子能科学研究院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）顺利成功出束，核心指标直达国际先进水平，标志着我国彻底打破国外在该领域的长期技术封锁与垄断。图源：中国原子能科学研究院作为芯片制造“四大核心装备”之一，离子注入机是半导体制造不可或缺的刚需设备，堪称功率半导体的“精准离子炮”，其核心作用是将氢离子加速至超高能级后精准注入半导体材料深层，决定芯片耐压能力、开关
据报道，小米第二代自研旗舰移动处理器玄戒O2（XringO2）将采用台积电3nm家族的N3P制程，而非最新的2nm工艺。回顾小米第一代旗舰处理器玄戒O1，于2025年初推出时便率先采用台积电尖端的N3E制程，成为首款由中国厂商自主设计的3nm旗舰移动处理器。按照规划，如果玄戒O2能在今年上半年正式面市，它仍有望搭载在同期的旗舰机型上。这意味着，在上半年市场竞争中，玄戒O2仍具备制程优势——毕竟苹果
微芯科技旗下冠捷半导体（SST）与晶圆代工厂联华电子（UMC）联合官宣，双方合作的28纳米SuperFlash®第四代（ESF4）车规1级（AG1）平台已完成全面认证并即日投产，为高性能车载控制器提供兼具可靠性与成本优势的存储解决方案。此次量产的核心亮点的是SST创新ESF4技术与UMC28HPC+工艺的深度融合，不仅满足车规1级严苛标准，更相较同类28纳米HKMGeFlash方案大幅减少掩模工序
光刻机巨头ASML迎来历史性突破！凭借AI驱动的半导体需求热潮及台积电超预期资本支出拉动，公司市值首次站上5000亿美元大关，成为欧洲第三家达成此成就的企业，股价势头强劲领跑欧洲市场。台积电的重磅投入成为核心推手。其披露2026年资本支出达520-560亿美元，远超市场预期的460亿美元，同比增幅37%，强劲的设备采购需求直接利好ASML。受此消息提振，1月15日ASML欧洲股价收盘大涨6%，本月
1月15日，台美关税协议正式落地，台湾地区输美产品关税从20%降至15%且不叠加原有税率，协议要求台湾半导体科技业者对美新增2500亿美元直接投资，台积电2025年承诺的1000亿美元投资已纳入其中。针对此协议及全球产能布局，台积电财务长黄仁昭作出明确表态，释放核心战略信号。黄仁昭强调，台积电并未参与该关税协议的讨论，同时重磅官宣：最先进制程将根留台湾，这一核心策略基于实务考量始终不变。他解释，先
1月17日，美光科技与力积电联合官宣重磅合作：美光将以18亿美元现金收购力积电位于中国台湾苗栗县铜锣的P5晶圆厂厂房及厂务设施（不含生产设备），借现有产能载体加速扩充DRAM供给，同时开启双方长期技术协作篇章。此次收购核心资产为一座占地30万平方英尺的300毫米晶圆厂洁净室，毗邻美光台中工厂，可快速形成业务协同效应，助力美光应对全球DRAM供需缺口，强化存储解决方案供应能力。除资产收购外，双方还达
随着人工智能（AI）应用快速扩张，存储器市场需求持续走高，长鑫存储正积极筹划公开上市（IPO），计划募集约40亿美元资金，用于技术研发与产能扩张。业内人士认为，此举标志着中国在全球DRAM市场中寻求突破的重要尝试，意在挑战由三星电子、SK海力士和美光科技长期主导的市场格局。近年来，AI服务器对高带宽存储器（HBM）的需求大幅提升，导致传统DRAM与NAND存储器产能紧张，价格持续上涨。消息显示，美
据台媒消息，被动元器件龙头厂商国巨近日再次向客户发出价格调整通知，宣布自今年2月1日起，对部分电阻产品进行调价，整体涨幅约为15%至20%。国巨指出，芯片电阻相关产品线的制造成本持续攀升，尤其是白银、钌、钯等贵金属价格大幅上涨，显著推高了生产成本。在此背景下，公司决定对部分供需偏紧的产品进行价格调整。本次受影响的产品主要包括RC0402、RC0603、RC0805、RC1206等主流规格电阻。新价
1月15日，台积电召开法说会公布2025年第四季财报，在AI需求强势拉动下，业绩创下历史新高，同时释放2026年积极扩张信号，坚定看好AI赛道长期价值。财报数据亮眼夺目，盈利能力持续领跑2025年第四季，台积电合并营收约新台币1.46万亿元，同比增长20.5%、环比增长1.9%；税后净利润约5057.4亿元，每股收益新台币19.50元，均实现35.0%同比增长、11.8%环比增长。以美元计，营收达
1月16日，据分析师@jukan05援引机构Keybanc报告显示，x86架构双巨头英特尔与AMD，已售罄2026年大部分服务器CPU产能，并计划于本季度（Q1）对服务器处理器上调价格，涨幅区间锁定10~15%，行业景气度持续拉满。此次服务器CPU销售火爆，核心由三大需求引擎共同驱动。其一，AI推理需求旺盛，直接带动推理服务器头节点采购量激增，成为核心增长动力；其二，通用服务器进入大规模更新周期，
安靠（AmkorTechnology）确认将关闭位于日本北海道七饭町的函馆工厂，计划于2027年12月完成关停，相关业务将全面整合至九州地区现有工厂，以此应对车用半导体市场的持续低迷。据悉，安靠函馆工厂现有380名员工，核心业务为车用通用半导体封装，产品广泛配套汽车电子系统。自2023年起，受全球电动汽车（EV）销售疲软拖累，工厂核心产品需求持续下滑，产能利用率长期处于低位，市场颓势难以逆转。安靠
全球高性能RISC-V处理器IP龙头SiFive正式宣布，将成为首家集成英伟达NVLink技术的RISC-V芯片设计厂商，通过芯片间高速互连能力，为开放架构与顶尖AI算力的融合开辟新路径。作为与软银旗下Arm并列的芯片IP方案提供商，SiFive为客户提供核心组件蓝图，助力其打造专属完整芯片设计。而RISC-V作为Arm封闭架构的开放标准替代方案，凭借灵活定制优势备受青睐，随着Arm加码芯片设计领
从服务器级核心算力支撑到嵌入式低功耗应用，从工控场景到移动终端，兆芯、海光、飞腾、龙芯、华为五大品牌的核心产品构建起全场景覆盖的国产算力体系，为关键基础设施与千行百业数字化转型注入强劲动力。兆芯新一代服务器处理器开胜KH-50000系列凭借Chiplet架构实现性能跃升，单颗处理器最多集成96个高性能计算核心，配备高达384MB三级缓存，算力基础扎实。I/O接口全面升级，最高支持12通道DDR5E
1月14日，全球领先的专业晶圆代工厂格芯（GlobalFoundries,GF）正式签署最终协议，宣布收购新思科技（Synopsys）的ARC处理器IP解决方案业务，涵盖全系列产品线、专用开发工具及核心工程师与设计师团队，此举将强势加速格芯在实体人工智能领域的布局进程。作为聚焦差异化半导体制造的龙头企业，格芯深耕射频、物联网、汽车与硅光子等核心赛道。此次收购并非简单的业务扩充，而是精准卡位实体人工
全球内存市场结构性缺货潮来袭，晶圆代工厂力积电营运顺势回暖，存储器产能全面满载。在此行业风口下，半导体业界传出重磅消息：力积电董事长黄崇仁已找回昔日DRAM拉良率高手陈正坤重回公司担任顾问，为迎接行业高景气周期蓄力。不过，对于这一人事变动传闻，力积电方面态度低调，发言窗口已明确否认。陈正坤的履历堪称半导体业界的传奇篇章。这位1960年生于中国台湾的技术大咖，先后考入台湾清华大学，后赴美深造拿下加州
1月14日，美国总统特朗普签署行政命令，正式对部分半导体产品加征25%进口从价关税，政策1月15日起生效，同时为未来关键矿物可能的关税措施铺垫，此举成为其政府人工智能与科技战略的核心一环。此次关税并非全面覆盖，而是聚焦“极为狭窄的一类半导体”，核心瞄准通过“转运”模式流通的产品——即进口至美国但未用于本土人工智能用途、随后再出口至其他国家的半导体。明确受影响的产品包括英伟达H200和AMDMI32
1月14日央视新闻报道，当地时间1月13日，美国政府正式批准英伟达向中国出口H200人工智能芯片，这一决定将重启该芯片对中国客户的出货，为中美半导体贸易格局带来新变化。此前，美国总统特朗普已通过社交媒体释放放行信号，明确美国政府将允许H200对华销售。根据相关安排，此次对华销售由美国商务部负责审批与安全审查，美方还将从交易中收取约25%的费用。对于供应链保障，英伟达发言人早在去年12月就曾向《环球
历经破产重整的考验，全球碳化硅（SiC）领域龙头Wolfspeed强势回归技术前沿。美国北卡罗来纳州当地时间1月13日，公司正式宣布成功生产出300mm（12英寸）碳化硅单晶晶圆，这一突破性进展不仅标志着其走出财务危机、经营重归正轨，更将为高端半导体应用解锁全新性能极限与制造规模。作为此前8英寸（200mm）碳化硅晶圆技术的核心推动者，Wolfspeed在大尺寸SiC领域的技术积累深厚。此次12英
1月14日，韩媒《ChosunBiz》援引Omdia数据披露重磅行业信息：全球三大DRAM内存原厂——三星电子、SK海力士、美光，2026年总产能将锁定在1800万片晶圆左右，相较2025年仅增长约5%，低速增长态势将进一步巩固当前DRAM市场的供需紧平衡格局。受制于DRAM晶圆厂建设周期长、投入成本高的特性，2026年的产能增幅并非来自新增产线，核心依赖两大支撑：一是对现有生产线的高效挖潜利用，
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