全球品牌 · 原厂代理 · 正品保障
那如何正确地布设运算放大器的电路板以确保其功能、性能和稳健性呢?事件重现工程师与自己的实习生利用增益为2V/V、负荷为10k、电源电压为+/-15V的非反相配置OPA191运算放大器进行设计。图1所示为该设计的原理图。图1采用非反相配置的OPA191原理图工程师指派实习生为该设计布设电路板,同时为他做了PCB布设方面的一般指导(即尽可能缩短电路板的走线路径,同时将组件保持紧密排布,以减小电路板空间
据《长春日报》报道,目前,位于长春经开区的半导体激光技术创新中心产线建设项目如期竣工,洁净实验室厂房及动力配套系统投入使用,第一款产品实现量产出货。吉光半导体科技有限公司(以下简称“吉光半导体”)副总经理彭航宇表示,该产线建设项目的完工标志着由国家半导体激光技术创新中心长春主中心负责承建的产业共性技术创新平台已具备相关硬件条件。彭航宇还表示,他们正以长春为主要基地,联合国内优势力量申请组建国家半导
若让你回想2022年的半导体,会想到什么?消费端疲弱、芯片暴跌、营收不济....充斥着今年的半导体市场。终端市场的寒风肆意飞扬,蔓延到半导体各产业链环节,行业迈入低谷期,而半导体企业早已身在这危急的困境之中。1半导体冬季已至前几年半导体市场“门庭若市”,可今年以来,PC、智能手机等终端市场持续传来低沉的气息,芯片价格跌跌不休,周围寒气直逼,半导体市场步入下行周期,提前入冬。从需求爆发、缺货涨价、投
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管(2N7002)。他和三极管的功能很相似,可做开关使用,即可控制电路的通和断。不过比起三极管,MOS管有挺多优势,后面将会详细讲起。下图是MOS管实物3D图和电路图。简单的讲,要让他当做开关,只要让Vgs(导通电压)达到一定值,引脚D、S就会导通,Vgs没有达到这个值就截止。那么如何将2N7002应用到上面电路中呢,又起着什么作用呢?下面我们来分析一下。如果沿
在选型时我注意到,WFM系列电阻能够提供较高的功率、更高的工作温度,以及长期的稳定性,下面想就以下几个问题请教一下:(1)下面这个产品降额图,图中橙色和蓝色曲线分别代表什么含义?(2)WFM电阻保持长期稳定性的原因是什么?(3)WFM电阻在装配漂移方面的表现如何?是否有这方面的数据?首先回答第一个问题上述曲线是基于标准电气规范第一页所列的端子降额功率,两个图表中分别列出了2010和2512尺寸的W
TrendForce集邦咨询研究显示,第三季全球智能手机总产量达2.89亿支,环比减少0.9%,同比减少11%,打破历年来第三季旺季正成长的规律,显示市况极为萎靡。主因是智能手机品牌厂在优先调节渠道成品库存的考量下,对于第三季的生产规划相当保守,加上全球经济疲软冲击,品牌持续下调生产目标所致。为应对库存上升问题,三星(Samsung)从第二季下旬起即缩减智能手机产量,加上对后势展望保守,故第三季产
据国外媒消息,英特尔副总裁兼技术开发负责人AnnKelleher近日表示,英特尔公司正在实现重新获得半导体制造领导地位这一目标。Kelleher表示:“英特尔按季度制定的里程碑显示,我们处于领先地位或步入正轨。”她说,英特尔目前正在量产7nm芯片,另外已准备好开始制造4nm芯片,并将准备在明年下半年转向3nm。谁能坐稳后摩尔时代工艺制程王座?英特尔CEO基辛格曾表示要重回生产技术的领导地位,“重回
存储芯片是半导体市场最主要的细分领域,也是物联网、云计算、自动驾驶等行业不可或缺的关键元件,亦被广泛应用于消费电子、工控应用、数据中心、智能汽车等各个领域。而封装测试是半导体产业链中必不可少的环节。近年来,我国在封测领域中取得成绩也是有目共睹。数据显示,在全球前十大封测厂商中,中国厂商占据三席之地,其中长电科技排名全球第三、通富微电和华天科技则分别位列第六和第七。随着存储市场需求的扩大,存储芯片封
此产品在保持了双电层电容器(EDLC/超级电容器)的最大特点——容量大的同时,其低电阻的特性可对应大电流,而3V以上的额定电压使其方便使用。它还是一种由绿色材料制成的设备。作为电容器的定位双电层电容器(EDLC/超级电容器)可以凭借其大容量来储存较大的能量。TDK的双电层电容器(EDLC/超级电容器)可以储存数mF~500mF的大容量。额定电压为3.2V~4.2V,即使不提高电压,也能得到足够的能
引言LVDS(低电压差分信号)是一种能满足超高速数据传输的新技术,它具有低电压、低辐射、低功耗、低成本和内含时钟等优点,尤其适用于有一定传输距离要求的低功耗高速数据传输。由于用LVDS接口传输信号必须先进行LVDS和TTL的转换,所以在LVDS接口处使用专用LVDS收发器芯片不仅提高了成本,而且增大了PCB板的面积;而用千兆网卡传输则需要使用帧同步字,并且在接收端需要对接收到的数据进行同步字校验。
据东风汽车官方消息,东风旗下智新半导体碳化硅功率模块项目将于2023年实现量产装车。同时,东风汽车与中国信科共建的汽车芯片联合实验室,正在推进车规级MCU芯片在汉落地,预计2024年实现量产;与中芯国际合作,已完成设计首款MCU芯片。作为IGBT模块的升级产品、第三代半导体,碳化硅功率模块有着更低损耗、更高效率、更耐高温和高电压的特性。据介绍,碳化硅功率模块项目于2021年1月在智新立项,目前课题
英国当地时间12月5日,英国数字、文化、传媒和体育部(DCMS)宣布启动一项可行性研究,旨在寻找支持英国半导体行业的新方法的研究项目以及可能建立一个新的“国家机构”,以促进支撑英国工业的基础设施。DCMS新闻声明显示,该研究还将探讨芯片公司是否需要更好地使用原型设计和制造设施,以解决创新障碍和发展行业;还将探索为初创企业提供更多专业软件工具的机会,以及开发尖端包装工艺的方法。该战略旨在释放英国微芯
二极管是常用的电子元件之一,它的特性就是单向导电,也就是电流只可以从二极管的一个方向流过,二极管的作用有整流电路,检波电路,稳压电路,各种调制电路,主要都是由二极管来构成的。二极管工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电常当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。二极
光敏电阻简介 光敏电阻或光导管,常用的制作材料为硫化镉,另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下,其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电,在外加电场的作用下作漂移运动,电子奔向电源的正极,空穴奔向电源的负极,从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。 光敏电阻是用硫化隔或硒化隔等半导体材料制成的特殊电阻器,其工作原理是基于内光电效应。光照愈强,阻值
ADC类型积分型ADC优点:积分型ADC分辨率高,位数可做到12位甚至更高线性度非常好。本质上,输入端与一个集成的参考电压相比较来决定输出端,所以线性度将取决于比较器的精度。电路实现拓扑简单,用于实现这些设备的元件相对较少,因此电路相对简单且生产成本较低。缺点:主要缺点是转换速度慢。N位ADC,输出可能需要长达2个N的时钟周期来转换单个采样点转换原理都是基于对电压积分并将积分后电压与另一电压比较以
额定功率低于75W的适配器的组成元件包括:输入滤波器、二极管整流器、输入和输出电容、IC控制器、辅助电源、磁性元件、功率器件和散热片。集成解决方案在缩小和简化变换器方面已经取得了长足的进步,剩下的最大元件就是磁性元件、输入大电容、输出电容和EMI输入级。为了减小磁性元件的尺寸,在高频AC/DC变换器的设计上投入了大量的研究和工程工作。然而,输入大电容所占体积与适配器内的磁性元件相比却差不多甚至更大
1引言随着无线电技术的迅猛发展,雷达、导航、宇宙飞行、导弹及空间探索工作都需要高稳定度、高精度的频率源。锁相振荡源具有频率稳定度高、相位噪声低、易于集成等突出优点,因而成为通信、雷达、武器制导和电子测量仪器等系统的核心部件。在射频及微波系统中,采用串行码数据输入的数字式电荷泵频率合成器,外接压控振荡器(VCO)和环路滤波器,即可组成锁相(PLL)频率源。它具有电路设计简单、功耗低、可灵活编程控制分
1概述CY7B923是CYPRESS半导体公司推出的一种用于点对点之间高速串行数据通信的发送芯片。CY7B923采用的是基带传输通信方式,并支持带电插拔(热接插)。其内部电路主要包括时钟产生器、输入寄存器、编码器、移位寄存器、三对差分PECL输出对以及测试逻辑等。该芯片外转帐电路比较简单,不需单片机或微机控制,并且内置有自测试电路,因此使用比较方便。CY7B923的最大传输速率可达400Mbps,
输入电压经常指定为一个范围,因为通常无法精确调节。但是,为了使电源可靠地工作,输入电压必须始终在开关稳压器允许的范围内。例如,12V电源电压的典型输入电压范围为8V至16V。图1所示为从12V标称电压产生3.3V电压的降压型转换器(降压拓扑)。图1.与系统直流电压源一起显示的降压型开关稳压器。但是,在设计DC-DC转换器时,仅考虑输入电压最小值和最大值是不够的。图1显示降压转换器在正输入处有一个开
1驱动电机的作用驱动电机、电控系统、动力电池是电动汽车的核心部分,称为“三电”。在电动汽车上,驱动电机替代了传统汽车上的发动机和发电机,传统汽车通常是把化学能转换为机械能驱动车辆行驶,而驱动电机既可以将电能转换为机械能驱动汽车行驶,也可以作为发电机将机械能转换为电能,并存储在动力电池内。电机控制器将动力电池的高压直流电变换为驱动电机的高压三相交流电,使驱动电机产生力矩,并通过传动装置将驱动电机的旋
我们很多时候都在波形,看输入波形,MOS开关波形,电流波形,输出二极管波形,芯片波形,MOS管的GS波形,我们拿开关GS波形为例来聊一下GS的波形。我们测死MOS管GS波形时,有时会看到下图中的这种波形,在芯片输出端是非常好的方波输出,但一旦到了MOS管的G极就出问题了,有振荡,这个振荡小的时候还能勉强过关,但是有时候振荡特别大,看着都教人担心会不会重启。这个波形中的振荡是怎么回事?有没有办法消除
扫码加微信客服
137 144 98098